삼성전자가 차세대 메모리 HBM5에 반도체 업계 최선단인 2나노 공정을 적용한다고 밝혔어요. 회사 설명대로면 동작속도가 기존보다 50% 빨라진다는데, AI 반도체 경쟁에서 던진 승부수로 보입니다.
HBM(고대역폭 메모리)은 쉽게 말해 AI 칩(GPU) 옆에 딱 붙어서 데이터를 초고속으로 퍼주는 전용 메모리예요. 데이터를 아무리 빨리 계산해도 옆에서 정보를 못 갖다주면 병목이 생기는데, 그걸 막아주는 핵심 부품이죠. 지금 업계는 이 HBM의 5세대 버전, HBM5를 준비하는 단계입니다.
이번 발표에서 눈에 띄는 포인트는 '최선단 공정'이에요. 보통 메모리는 D램 전용 공정으로 만드는데, 삼성은 CPU·GPU 같은 로직 칩에 쓰는 초미세 2나노 공정을 메모리에도 끌어오겠다는 거예요. 나노 숫자가 작을수록 회로 선폭이 가늘어져서 같은 면적에 더 많은 트랜지스터를 넣을 수 있고, 전력 효율도 좋아지는 게 일반적인 원리입니다.
삼성 측 설명으로는 이 공정 적용을 통해 동작속도가 50% 향상된다고 해요. 다만 이건 개발 단계에서 나온 회사 측 발표이고, 실제 양산 시점이나 최종 스펙은 아직 확정되지 않았다는 점은 짚어둘 필요가 있어요.
왜 중요할까요? HBM은 엔비디아 같은 AI 가속기에 필수로 들어가는 부품이라, 이 시장에서 앞서면 곧 AI 반도체 생태계에서의 입지도 커집니다. SK하이닉스가 HBM 시장을 주도해온 상황에서, 삼성이 최선단 공정 카드로 격차를 좁히려는 시도로 읽힙니다.